2

Growth of Li-doped ZnSe by molecular beam epitaxy using an alkali metal dispenser

Année:
1990
Langue:
english
Fichier:
PDF, 254 KB
english, 1990
3

Focusing effect of a graded index photonic crystal lens

Année:
2011
Langue:
english
Fichier:
PDF, 1016 KB
english, 2011
5

Lattice contraction in carbon-doped GaAs epilayers

Année:
1998
Langue:
english
Fichier:
PDF, 67 KB
english, 1998
6

Recent advances in compound semiconductor technology

Année:
1995
Fichier:
PDF, 1.10 MB
1995
13

Compound semiconductor activities in Finland

Année:
1990
Langue:
english
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PDF, 401 KB
english, 1990
15

Arrays of metallic nanocones fabricated by UV-nanoimprint lithography

Année:
2010
Langue:
english
Fichier:
PDF, 493 KB
english, 2010
19

Solid-source MBE for growth of laser diode materials

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 437 KB
english, 1997
24

Optimization studies of single-transverse-mode 980

Année:
2008
Langue:
english
Fichier:
PDF, 547 KB
english, 2008
37

Lattice parameter in GaNAs epilayers on GaAs: Deviation from Vegard’s law

Année:
2001
Langue:
english
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PDF, 362 KB
english, 2001
46

Atomic layer epitaxy

Année:
1986
Langue:
english
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PDF, 1.68 MB
english, 1986